Chips for light-emitting diodes

LED chips for infrared and visible range of wavelengths are fabricated on the basis of AlGaAs/GaAs and GaP/GaP epitaxial structures used for the manufacture of LED chips and character indicators.

CHIP CHARACTERISTICS FOR LEDS IN VISIBLE RANGE OF WAVELENGTHS 

Chip type  Color, material / structure * 
Fluorescence 
wavelength, nm 
 Vf, IV, mcd   If,
 type max  type min 
 -001-6  Green, GaP / p-GaP  565  2,1  2,4  6  3  20
 -001-8  Green, GaP / p-GaP  565  2,1  2,4  8  4  20
 -001-10  Green, GaP / p-GaP  565  2,1  2,4  10  5  20
 -006-2  Red, GaAlAs (SH) / n-GaAs  650  1,75  1,85  2  1,4  10
 -006-3  Red, GaAlAs (SH) / n-GaAs  650  1,75  1,85  3  2,1  10
 -007-3  Red, GaAlAs (DH) / p-GaAs  650  1,75  1,85  3  2,1  10
 -007-4  Red, GaAlAs (DH) / p-GaAs  650  1,75  1,85  4  2,8  10
 -007-5  Red, GaAlAs (DH) / n-GaAs  650  1,75  1,85  5  3,5  10
 -008-4  Red, GaAlAs (DH) / p-GaAs  650  1,75  1,85  4  2,8  10
 -008-5  Red, GaAlAs (DH) / p-GaAs  650  1,75  1,85  5  3,5  10
 -009  Red, GaAlAs (DH) / p-GaAs  650  1,75  1,9  10-15  8  10
 -0010  Red, GaAlAs (DH) / p-GaAs  660  1,75  1,9  5  10

*Notes: SH - heterostructure, DH - double heterostructure, n upper side of  n-type, p upper side of p-type

CHIP CHARACTERISTICS FOR LEDS IN INFRARED RANGE OF WAVELENGTHS 
Chip type  Material / structure * 
Fluorescence 
wavelength, nm 
 Vf,  η, %  If,
 type  max   type min 
 -004   Red, GaAlAs (DH) / p-GaAs  860-920  1,5  1,7  7-10  5  100
 -005-3  GaAlAs (DH) / n-GaAs  860  1,3  1,45  3  2  10
 -005-4  GaAlAs (DH) / n-GaAs  860  1,3  1,45  4  2,5  10
 -0014  GaAlAs (DH) / n-GaAs  670-870  1,5  1,7  4  2,8  20
*Notes: SH - heterostructure, DH - double heterostructure, n upper side of  n-type, p upper side of p-type